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10/08/07 15:30
1. 자석처럼 착 하고 붙으면 좋겠죠.. 하지만 두 반도체를 붙이는것이 그렇게 쉽게 되는게 아니니까요.
(두 다이오드를 하나의 물질처럼 붙어지지 않는다는 말이죠.) 그리고 보통 그림에서 트렌지스터의 3극은 거의 크기가 비슷하게 그리는데(초기에), 이것은 그냥 개념상 그런것이고 트렌지스터가 정상동작 하려면 중간에 있는 반도체의 크기가 작아야 합니다. (npn 이면 p가 매우 작아야.. 합니다) 뭐 그 이유는.. 나중에(수식으로 풀다보면) 이해가 되실겁니다. 2. BJT의 경우 에미터와 콜렉터를 뒤집에서 연결해도 똑같이 작동을 하나요? 역시 개념상으로는 동작해야 합니다만, 역시나 그렇지 않죠. 이미터와 콜렉터의 의미도 나중에(수식으로 풀다보면) 이해가 될겁니다. 뭐 저도 대략 10년전에 들었던 전공이라 이젠 가물가물 하군요. 제가 오해하고 있거나 틀린것 일수도 있습니다.
10/08/07 23:33
Siriuslee님의 설명에 덧붙입니다. (저도 기억이 가물가물합니다만...)
1. 아마도 증폭율이 떨어져 TR로써의 의미가 없어질 겁니다. 실제 공정에서 base(CMOS에서는 gate)의 두께를 얼마나 얇게 만드느냐 하는 것이 기술입니다. (원론적으로 이미터와 베이스는 전류 증폭을 얻기 위해 도핑 레벨이 매우 다릅니다. 이미터와 컬렉터도 같은 타입이기는 하지만 도핑 레벨은 역시 다릅니다. 이는 아래 2.와 같은 현상이 일어나는 이유 중의 하나가 됩니다) 2. 구조상 에미터가 (전자를) 쏘고 컬렉터가 받는 형태이므로 거꾸로 연결하면 증폭율이 역시 떨어지는 것으로 기억하고 있습니다.
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